Memory chips and Solutios

Position:
文章筛选结果

Micron xccela-flash_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPWEB TECHNOLOGYCAPACITYCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPMT35XU512ABA1G12-0SIT1COMPONENTNOXccela Flash512Mb512Mb200MHz400MTPS1.8V-40C to +...

Micron ufs-based-mcp_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEPROTOCOLOPERATING TEMPPIN COUNTMT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D1COMPONENTNO560GbNSRNSR1.1VUFS2.2-25C to +85C254-ballMT30AZZ...

Micron udimm_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSMODULE VERSIONPART TYPEPLPDENSITYMODULE DENSITYCOMPONENT DENSITYSPEEDINDUSTRY SPEEDMT/SMTA8ATF1G64AZ-3G2E18UDIMMMODULENO8GB8GB8GB1600MHzPC4-32003200MTPSMTC4C10163S1UC...

Micron twin-quad-nor flash_full catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCAPACITYCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPMT25TL512BBA8ESF-0AAT2COMPONENTNO512Mb512Mb133MHz160MTPS3V-40C to +105CMT25TL01GHBB8E12-0AAT2CO...

Micron tlc-nand flash_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPWEB TECHNOLOGYCAPACITYCOMPONENT DENSITYI/O VOLTAGEOPERATING TEMPMT29F512G08EBHAFB17A3WC1-F1DIENO3D NAND512Gb512Gb1.2V0C to +70CMT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F1...

Micron slc-nand flash_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERPART TYPEPLPCAPACITYI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTMT29F8G08ADAFAWP-AAT:FCOMPONENTNO8Gb3.3V-40C to +105Cx848-pinMT29F2G08ABAEAH4-IT:ECOMPONENTNO2Gb3.3V-40C to +85Cx863-ballMT...

Micron serial-nor flash_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCAPACITYCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHPART STATUS CODECOMPONENT CONFIGPACKAGEMT25QU512ABB8ESF-0SIT1COMPONENTNO512Mb512Mb166M...

Micron sdram_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHCAS LATENCYPIN COUNTMT48LC16M16A2B4-6A:G1COMPONENTNO256Mb166MHz332MTPS3.3V0C to +70Cx16CL = 35...

Micron rdimm_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSMODULE VERSIONPART TYPEPLPDENSITYMODULE DENSITYCOMPONENT DENSITYSPEEDINDUSTRY SPEEDMT/SMTA36ASF4G72PZ-2G6E136RDIMMMODULENO32GB32GB32GB1333MHzPC4-26662666MTPSMTC20F208...

Micron qlc-nand_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCAPACITYCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTMT29F8T08GULDHD5-M:D8COMPONENTNO8Tb8TbNSRMHzNSRMTPS1.2V70Cx8154-ballMT29F1T08...

Micron parallel-nor_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCAPACITYCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPMT28EW256ABA1LPC-0SIT1COMPONENTYES256Mb256MbNSRMHzNSRMTPS3V-40C to +85CMT28EW512ABA1HJS-0SIT1CO...

Micron nand-based-mcp_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPPIN COUNTMT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J1COMPONENTNO8Gb2133MHz4266MTPS1.8V-40C to +105C149-ballMT29C4G48MAZBB...

Micron mrdimm_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSMODULE VERSIONPART TYPEPLPDENSITYMODULE DENSITYCOMPONENT DENSITYMT/SOPERATING TEMPMTC40F2047S1HC88XB140MRDIMMMODULENO128GB128GB128GB8800MTPS0C to +95CMTC40F204WS1HC88...

Micron mlc-nand_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERPART TYPEPLPCAPACITYI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHMT29F32G08CBACAL73A3WC1LDIENO32Gb3.3V0C to +70Cx8MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:ECOMPONENTNO512Gb1.8V-40C to +85Cx8MT29F256G08CECEBJ4-37IT...

Micron lrdimm_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSMODULE VERSIONPART TYPEPLPDENSITYMODULE DENSITYCOMPONENT DENSITYSPEEDINDUSTRY SPEEDMT/SMTA72ASS8G72LZ-3G2R272LRDIMMMODULENO64GB64GB64GB1600MHzPC4-32003200MTPSMTA36ASF...

Micron lpddr5x_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHCAS LATENCYPIN COUNTMT62F768M64D4EK-023 FAAT:B4COMPONENTNO48Gb4266MHz8533MTPS0.5V-40C to +105C...

Micron lpddr5_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHCAS LATENCYPIN COUNTMT62F3G32D8DV-026 AAT:B8COMPONENTNO98Gb3750MHz7500MTPS0.5V-40C to +105Cx32...

Micron lpddr4_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHMT53E1536M64D8HJ-046 AIT:B8COMPONENTNO96Gb2133MHz4266MTPS1.1V-40C to +95Cx64MT53E768M32D2NP-04...

Micron gddr7_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERPART TYPECOMPONENT DENSITYMT/SI/O VOLTAGEBUS WIDTHPIN COUNTMT68A512M32DF-32:ACOMPONENT16Gb32GTPS1.2Vx32266-ballMT68A512M32DF-28:ACOMPONENT16Gb28GTPS1.2Vx32266-ball

Micron gddr6x_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTMT61K512M32KPA-24:U2COMPONENTNO16Gb3GHz24GTPS1.35V95Cx32180-ballMT61K512M32KPA-21:U2C...

Micron gddr6_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTMT61K512M32KPA-16:C2COMPONENTNO16Gb2GHz16GTPS1.35V0C to +95Cx32180-ballMT61K512M32KPA...

Micron emmc-based-mcp_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPPIN COUNTMT29GZ6A6BPIET-046IT.1121COMPONENTNO16Gb2133MHz4266MTPS1.8V-40C to +85C149-ballMT29VZZZCD9GUKP...

Micron emmc_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERPART TYPEPLPCAPACITYI/O VOLTAGEPROTOCOLOPERATING TEMPPIN COUNTPART STATUS CODECOMPONENT CONFIGMTFC256GBCAQTC-AATCOMPONENTNO256GB1.8VMMC5.1-40C to +105C153-ballContact Factory256G x8MTFC3...

Micron ddr-sdram_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHCAS LATENCYPIN COUNTMT46V16M16CY-5B IT:M1COMPONENTNO256Mb200MHz400MTPS2.5V-40C to +85Cx16CL = ...

Micron ddr4-sdram_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHCAS LATENCYPIN COUNTMT40A2G4SA-062E:R1COMPONENTNO8Gb1600MHz3200MTPS1.2V0C to +95Cx4CL = 2278-b...

Micron ddr3-sdram_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHCAS LATENCYPIN COUNTMT41K64M16TW-107 AAT:J1COMPONENTYES1Gb933MHz1866MTPS1.35V-40C to +105Cx16C...

Micron DDR2-sdram_full-catalog

2024-09-30
PART NUMBERNUMBER OF COMPONENTSPART TYPEPLPCOMPONENT DENSITYSPEEDMT/SI/O VOLTAGEOPERATING TEMPBUS WIDTHCAS LATENCYPIN COUNTMT47H64M16NF-25E IT:M1COMPONENTNO1Gb400MHz800MTPS1.8V-40C to +95Cx16CL = 5...

SK hynix’s LPDDR5T, World’s Fastest Mobile DRAM, Completes Compatibility Validation with Qualcomm

2023-12-14
News Highlights9.6Gbps product verified to be compatible with Qualcomm’s new Snapdragon mobile processorWith validation with global major partners completed, SK hynix to provide LPDDR5T to global s...

SK hynix Commercializes World’s Fastest Mobile DRAM LPDDR5T

2023-12-14
News HighlightsStarts supplying 16 GB mobile DRAM package to global smartphone makersLPDDR5T to be adopted in the latest smartphones along with MediaTek Dimensity 9300 mobile processor“Company to c...

Samsung Starts Mass Production of Automotive UFS 3.1 Memory Solution With Industry’s Lowest Power Co

2023-12-14
New UFS 3.1 is optimized for IVI systems and consumes 33% less energy, providing added benefits to future automotive applicationsSamsung to build out full UFS 3.1 lineup to meet various customer ne...

Samsung Develops Industry’s First GDDR7 DRAM To Unlock the Next Generation of Graphics Performance

2023-12-14
Samsung’s latest 32Gbps GDDR7 to further expand capabilities in applications for AI, HPC and automotive vehiclesEnhancements in GDDR7 include 1.4 times boost in performance and 20% improvement in p...

Samsung Electronics Unveils Industry’s Highest-Capacity 12nm-Class 32Gb DDR5 DRAM, Ideal for the AI

2023-12-14
Provides double the capacity of 16Gb modules within the same package size, enabling 128GB DRAM module production without the TSV process and decreasing power consumption by 10%The new product also ...

Samsung Electronics’ Industry-First LPCAMM Ushers in Future of Memory Modules

2023-12-14
LPDDR-based LPCAMM will lead next-gen module market for PCs and laptops, possibly extending to data centersImprovements in performance by 50%, power efficiency by 70% and mounting area by 60% compa...

Samsung Unveils New Portable SSD T5 EVO That Offers 8TB Capacity in a Compact Design

2023-12-14
Delivers up to 3.8 times the transfer speeds of external HDD, and protects data from drops of up to two metersSamsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today unveile...

Q2亏损1008亿日元,铠侠称NAND闪存价格已触底

2023-12-09
国际电子商情14日讯 日本NAND闪存生产商铠侠(Kioxia)铠侠在周二公布最新财报指出,因智能手机和个人电脑(PC)使用的存储芯片需求下滑影响了盈利,该公司第二季度运营亏损1008亿日元(约合48.48亿元人民币)。自新冠疫情大流行以来,存储芯片制造商一直在努力应对需求下滑的问题,市场供应过剩,行业整合的压力越来越大。不久之前,铠侠(Kioxia)与西部数据之间的合并谈判由于SK海力士的...

消息称Marvell将裁撤中国台湾NAND Flash控制IC团队

2023-12-09
国际电子商情17日讯 据台媒报道,NAND Flash市况不佳,业界传出Marvell会裁撤中国台湾的NAND Flash控制IC的团队...据经济日报报道,业界传出NAND Flash市况不佳影响,加上美中贸易战限制,使Marvell的NAND Flash控制IC业务受到冲击,且将会裁撤中国台湾Marvell的NAND Flash控制IC的团队。报道推断,虽然Marvell此次裁撤中国台湾...

佰维存储:近期在手订单仍处于相对饱和状态

2023-12-09
佰维存储近期在接受调研时表示,公司营业收入恢复较快,第三季度实现营业收入9.74亿元, 9月单月营收已接近5亿元,行业回暖明显,近期在手订单仍处于相对饱和的状态。佰维存储产品通过了PC行业龙头客户严苛的预装导入测试,目前已经进入联想、宏碁、同方、富士康等国内外知名PC厂商供应链。

西部数据预告未来几个季度NAND涨幅将达55%

2023-12-09
西部数据12月5日对客户发布涨价通知,预告NAND及HDD将展开浮动涨价。其中,NAND预计将在未来几个季度内呈现周期性价格上涨,累计涨幅可能达55%;HDD将采取每周审查价格,预计价格涨势将延续至2024年上半年。在CFM闪存市场最新发布的《3Q23 NAND Flash市场营收排名》中,西部数据位列第四,NAND Flash销售收入为15.56亿美元,环比增长13%,市场份额为15.9%...

Kioxia RM7 系列SAS SSD首次亮相HPE服务器

2023-12-09
Kioxia最新宣布,HPE ProLiant Gen11服务器现已推出采用其 KIOXIA RM7 系列超值 SAS SSD 系列。KIOXIA RM7 系列 SSD 是该公司最新一代 12Gb/s Value SAS SSD,与 SATA SSD 相比,可为服务器应用程序提供更高的性能、可靠性和更低的延迟,从而提供更高的 IOPS/W 和 IOPS/$。KIOXIA RM7系列SAS S...

华邦电子:11月营收环比微增,预估Q4营收环比持平或微增

2023-12-09
华邦电子含新唐科技等子公司的11月份合并营收为63.68 亿元(新台币,下同),较10月份增加1.12%,较2022 年同期减少2.33%。累计1-11月合并营收为684.99亿元,较2022 年同期减少22.21%。华邦电子总经理陈沛铭此前曾表示,现阶段看到市场PC及智能手机市场需求的确有恢复的情况,至于服务器,在包含AI服务器的情况下,市场需求也有逐渐回温趋势。预计第四季营收会跟第三季持...

美光就150亿美元建厂计划敲定劳资协议

2023-12-09
美光与工会达成协议,将会兴建总值150亿美元的芯片制造设施,未来20年内将在纽约州投资多达1000亿美元。美光全球营运执行副总裁Manish Bhatia表示,新芯片制造设施预计将在高峰期间聘用约3700名建筑工人,并全部经工会招聘;预计厂房将于2026年投入生产,而到2020年代末将可创造多达2000个**职位。美光这一举措,在美国商务部即将在年底前**笔芯片法案补贴之际,为其在争取联邦补...

群联:11月营收创历史同期次高,PCIe SSD控制芯片出货量同比增长近40%

2023-12-09
NAND Flash控制IC厂群联电子11月份营收54.07亿元(新台币,下同),月成长近5%,创历史同期次高。累计1-11月营收币430.4亿元,年减23%。群联表示,11月份SSD控制芯片总出货量持续出现逐渐回温状况,包含整体SSD控制芯片总出货量年成长达30%,其中,PCIe SSD控制芯片总出货量年成长更是将近40%,创历史同期新高纪录。群联指出,整体NAND存储位元数总出货量的年成...

长江存储致态发布4TB SSD

2023-12-09
长江存储致态正式发布Ti600和TiPlus7100的4TB容量版本,售价分别为1299元和1799元。其中Ti600 4TB版本采用长江存储QLC颗粒,晶栈Xtacking 3.0架构,单颗芯片接口速度可达2400MT/s;顺序读写速度最高可达7000MB/s、6000MB/s。全面兼容Gen4及大部分Gen3系统。TiPlus7100 4TB版本则采用了长江存储TLC颗粒,同样采用了晶栈...

减产效应下原厂业绩如何?3Q23 NAND Flash / DRAM市场营收排名出炉

2023-12-09
全球存储市场规模成功实现在二季度和三季度连续两个季度环比回升,今年一季度将成为市场规模的事实底点。正如我们在《CFM Report_2023Q3全球存储市场报告与Q4展望》中提到的,在原厂放弃争夺市占、转为以恢复盈利为首要目标的策略变化下,原厂拉涨态度强势,存储行情确定性上涨已成为现实,四季度存储价格全面迎来上涨,那么顺应下半年的出货旺季,全球存储市场规模将继续在四季度保持增长。但受限于目前...

美光称很快将扭亏为盈,上调9-11月营收预估

2023-12-03
美光科技宣布更新2024财年第1季(2023 年 9 月 -11月)收入、毛利率、运营费用和每股收益指引。美光此前预计收入为44亿美元±2 亿美元,非 GAAP 毛利率为 (4.0%) ±2%。由于供需平衡的改善和定价的改善,美光最新预计2024财年第1季的收入将接近47亿美元,非GAAP毛利率将接近盈亏平衡。图片来源:美光此前美光在上季度财报业绩会上表示,预计最早将在2024年下半年看到毛...

江波龙收购SMART Brazil 81%股权正式完成交割

2023-12-03
深圳市江波龙电子股份有限公司(以下简称“江波龙”)发布晚间公告,宣布SMART Modular Technologies do Brasil‐Indústria e Comércio de Componentes Ltda.(以下简称“SMART Brazil”)及其全资子公司SMART Modular Technologies Indústria de Componentes Eletrô...

佰维存储晶圆级先进封测制造项目落地东莞松山湖

2023-12-03
近日,深圳佰维存储科技股份有限公司的晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新技术产业开发区,签约仪式在东莞市成功举办。佰维存储董事长孙成思,总经理何瀚,创始人孙日欣,以及公司旗下惠州佰维、广东芯成汉奇(此项目实施主体)总经理刘昆奇出席了签约仪式。东莞市委副书记、市长吕成蹊,东莞市委副书记、松山湖党工委书记刘炜,松山湖党工委副书记、管委会主任欧阳南江、东莞市投资促进局局长陈顺娇出席并见证合...

江波龙与金士顿将成立合资公司

2023-12-03
11月27日,深圳市江波龙电子股份有限公司(以下简称“江波龙”)与金士顿科技公司(Kingston Technology Corporation) 共同签署了意向性备忘录,宣布发挥各自优势,将共同出资设立合资公司,双方分别持有合资公司51%和49%的股份(后续双方将签订具体协议文件,并视届时具体安排依规履行各项审批义务及信息披露义务)。金士顿成立于1987年,总部位于美国加州芳泉谷,是全球知...

NAND价格上涨掀起固态硬盘涨价潮,CFM详解供需两端当前态势

2023-12-03
不知不觉,2023已近尾声,跌跌不休的存储行情终在四季度上演强势“翻盘”,尽管此前终端客户对涨价早有预期,但是此番涨幅之大仍超出预料。根据CFM闪存市场数据,自10月份以来,现货市场NAND Flash价格指数涨幅已达40%。数据来源:CFM闪存市场四季度合约市场价格同样呈现大幅上扬,具体涨幅CFM闪存市场已在《2023年Q3全球存储市场报告与Q4展望》报告中详细说明。数据来源:CFM闪存市...

HBM:SK海力士、三星、美光三分天下

2023-06-22
半导体产业步入下行周期之际,2023年ChatGPT的“走红”为产业带来新的发展方向:AI人工智能。ChatGPT正掀起一场声势浩大的AI浪潮,AI时代下,为满足海量数据存储以及日益增长的繁重计算要求,半导体存储器领域也迎来新的变革,HBM技术从幕后走向台前,未来前景可期。突破“内存墙”瓶颈,HBM应运而生HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,按照JEDEC的分...

江波龙拟购SMART Brazil及其全资子公司81%股权 拓展巴西市场

2023-06-22
6月13日,江波龙发布公告称,公司以现金通过子公司 Lexar Europe B.V.购买 SMART Modular Technologies do Brasil‐Indústria e Comércio de Componentes Ltda.(以下简称“SMART Brazil”)及其全资子公司 SMART Modular Technologies Indústria de Compo...

铠侠PCIe 4.0和SAS SSD通过Microchip兼容性和互操作性测试

2023-06-22
铠侠宣布其PCIe 4.0 NVMe和SAS SSD已成功通过与Microchip Technology(“Microchip”)Adaptec HBA 1200系列、SmartHBA 2200系列主机总线适配器(HBA)和SmartRAID 3200系列RAID适配器的兼容性和互操作性测试。铠侠SSD广泛适用于客户端 PC以及数据中心、超大规模和企业服务器和存储系统。目前铠侠CD6、CD8...

美光将在西安封测工厂投资逾43亿元人民币,其中包括收购力成西安资产

2023-06-22
美光科技宣布计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾 43 亿元人民币。公司已决定收购力成半导体(西安)有限公司(力成西安)的封装设备,还计划在美光西安工厂加建新厂房,并引进全新且高性能的封装和测试设备,以期更好地满足中国客户的需求。该项投资秉承美光布局全球封装测试的理念,将提升公司在西安制造多种产品组合的灵活性,使美光能直接运营其在西安工厂封装测试的业务。此次宣布的新厂房将引入...

韩媒:SK海力士14nm级DDR5产品良率达90%

2023-06-22
据韩媒报道,业界相关人士,SK海力士14nm级DDR5 DRAM(1a)产品良率传高达90%。新韩投资证券分析,在DRAM三巨头三星、美光、SK海力士之中,SK海力士新一代制程(1b)发展进度也较为领先,预计到2024年,SK海力士都可以在DDR5领域拿下市占**宝座。 韩国证券界大多预期第2季度SK海力士业绩将反映出DDR5 DRAM销售成果,预计营业损失将较2023年第1季少。

SK海力士车载存储解决方案研发实力获得国际认证

2023-06-22
SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)20日宣布,在韩国半导体企业中首次获得了“Automotive SPICE(以下简称ASPICE)”*等级2(CL2,Capability Level 2)认证。* ASPICE(Automotive Software Process Improvement & Capability dEtermination):欧洲汽...

三星扩大对半导体人才培养的支持

2023-06-22
据韩媒报道,韩国科学技术院近日与三星电子召开会议,扩大对半导体人才培养的支持,双方将举行“系统半导体(28纳米FD-SOI MPW)追加生产支援”的协议仪式。自 2021 年以来,KAIST 一直在以 IDEC 为主导,开展由贸易、工业和能源部支持的“下一代系统半导体设计专家培训项目”。该项目将在五年内投资共计 170 亿韩元的政府补贴,为全国大学的硕士和博士生提供从半导体芯片设计到制造的专...

AI热潮带动GPU受追捧,消息称英伟达订单已排至2024年

2023-06-22
今年以来AI热潮持续发酵,据业界消息指出,拥有云端相关业务的多家企业向英伟达采购了大量GPU,目前该公司订单已排至2024年。在此之前,GPU 一直以来都是处在供过于求,并且一再下调价格的情况。受惠于全球运算需求激增,GPU订单火热,价格也随之飙升,3月迄今,价格涨幅接近50%。此外,随着生成式AI 和机器人学习的快速发展,预计市场对GPU的需求将持续攀升。市场对于高阶GPU的狂热仍在继续,...

存储现货市场充斥低价库存,上游资源调涨吃力,本周起新增行业PCIe 4.0 SSD报价

2023-06-22
随着时间步入6月,存储供需两端处于“掰手腕”的博弈阶段,不过市场仍处于供过于求的状态,终端拉货动力有限,市场流速受阻,存储成品行情低迷,厂商普遍以小步快跑的节奏出货,加速回笼资金为主。减产待生效Q2上游供应仍溢出,部分资源调涨有局限性,下游观望态度浓厚如此市况下,部分原厂报价确有上调5%,有拉动上游资源调涨的趋势。不过据CFM闪存市场了解到,此次价格调涨实际推进中仍面临较大阻力,现阶段上游整...

韩国5月存储芯片出口同比锐减53.1%

2023-06-22
据韩媒报道,韩国科学技术信息通信部14日表示,韩国5月信息通信技术(ICT)出口额同比减少28.5%,为144.5亿美元,自去年7月起连降11个月。按品目来看,半导体出口同比减少35.7%,显示器减少12%,电脑及周边设备减少53.1%,手机减少17.2%,通信设备减少11.1%。半导体出口中,存储芯片出口同比锐减53.1%,为34.1亿美元;系统芯片同比下降4.9%,为36.4亿美元,降幅...

季度末库存去化配合618走货,TB级SSD厮杀激烈,本周存储现货价格整体下调

2023-06-22
本周正逢国内618购物节,电商平台销量来看,市场总体需求反响平平,各大原厂及品牌此消彼长各有千秋,国内消费端购买力依然欠缺火候,消费降级的现象尤为明显。由于存储成本降幅剧烈,刺激消费端TB级别SSD市占明显增长,大容量SSD市场成为各品牌必争之地,价格厮杀激烈。正值二季度末,上游NAND库存高企,趁618降价走货调节库存的意愿强烈,带动本周渠道大容量SSD价格杀至底价。此番现货市场降价,主要...

如何保证可穿戴设备使用的安全性?

2020-07-03
当今移动世界,行业间的融合比以往任何一个时候都更加普遍。随着保持联系成为日常生活中的重要部分,移动设备事实上已成为了现代社会的中心。

深度预测智能穿戴设备未来发展趋势

2020-07-03
我们都知道,智能穿戴设备的运动监测功能主要通过重力加速传感器实现。重力传感器已是一种很成熟的技术,手机也早有应用。

可穿戴设备新型充电方式 使用者自行发电

2020-07-03
面对物联网时代的来临,民众未来日常配戴的智慧眼镜、手表、戒指,甚是鞋子,都将可能成为提供物联网资讯的装置…

基于嵌入式系统智能手环的设计开发

2020-07-03
随着科技的进步,智能化成为了人们关注的焦点,同时也越来越贴近人们的生活。人们对于健康生活方式的需求催生出了智能可穿戴设备,智能手环就属于其中的一种代表性产物。

入门级可穿戴设备 想说爱你不容易

2020-07-03
2014年,是可穿戴设备蓬勃发展的一年,不少“有背景”的厂商纷纷入驻这一领域,如在国内比较知名的华为、魅族、小米等。

在可穿戴中 健康和医疗是两码事!

2020-07-03
之前在各种可穿戴讨论会中, 老听见很多人讲医疗健康领域是很重要的一块,但暂时不知道从哪里下手,我自己也一直觉得这块是因为涉及利益太深,要绕过体制内的系统太难才会导致“有市无货”,从而没有创业者动手去做。